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       化學氣相成長鍍膜方法是將氣體 狀原料含有需在基板上堆積物質的氣體化學物原料玻璃瓶廠用H2,N2,Ar氣的載流氣引入至基板區域，通過化學反應在基板上形成薄膜的方法。玻璃瓶公司通過化學反應的控制可在基板上形成金屬，半導體，絕緣體等各種薄膜。
        DVD法為一不均勻系統反應，玻璃瓶生產廠家根據技術人員對此反應的氣體，反應副產物氣體等的光譜分析，可以認為其反應如下，1反應氣體輸送2反應氣體被基板材料吸附并在表面擴散，3在基板表面出現化學反應，成核及膜成長4，反應副產物為氣體，在基板表面解吸，擴散及由基板表面脫離，5不斷提供的反應氣體原料使鍍層有導狀生長為完整的薄膜。這些過程中最慢的過程決定了整體反應沉積薄膜的速度。
         沉積溫度下參加反應的各種物質應具備足夠的蒸汽壓或應舉備足夠的過飽合度。徐州玻璃瓶廠在介紹中給出了CVD法中成膜溫度與過飽度對薄膜結構的影響示意。
        參加反應的原料物質應為氣態，反應生成物除鍍層材料為固態外其余也應為氣態。玻璃瓶廠把沉積鍍膜溫度下基板及沉積物本身的蒸汽壓要足夠低，才可保證在反應中固態沉積物與基板形成牢固的結合。